功能描述：MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23

制造商：alpha & omega semiconductor inc.

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：650mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250μA

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：27pF @ 30V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.7 欧姆 @ 650mA，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SOT-23

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

标准包装：3,000

AO3700

AO3701

AO4202

AO4240

AO4260

AO4264

AO4266

AO4286

AO4292

AO4294